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NXP Semiconductors
PRTR5V0U2X
Ultra low capacitance double rail-to-rail ESD protection diode
6. Characteristics
Table 7. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
5.5
V
I R
V BR
C (I/O-GND)
reverse current
breakdown voltage
input/output to ground
V R = 3 V
f = 1 MHz;
[1]
[2]
[3]
-
6
-
<1
-
1
100
9
1.5
nA
V
pF
capacitance
V (I/O-GND) = 0 V
C (I/O-I/O)
input/output to input/output
f = 1 MHz;
[4]
-
0.6
-
pF
capacitance
V (I/O-I/O) = 0 V
C sup
supply pin to ground
f = 1 MHz;
[2]
-
16
-
pF
capacitance
V CC = 0 V
V F
forward voltage
-
0.7
-
V
[1]
[2]
[3]
[4]
Measured from pin 2, 3 and 4 to ground.
Measured from pin 4 to ground.
Measured from pin 2 and 3 to ground.
Measured from pin 2 to pin 3.
2.0
C (I/O-GND)
(pF)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
006aaa483
1.0
C (I/O-I/O)
(pF)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
006aaa484
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V (I/O-GND) (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
Fig 2. Input/output to ground capacitance as a
function of input/output to ground voltage;
typical values
PRTR5V0U2X_2
V (I/O-I/O) (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
Fig 3. Input/output to input/output capacitance as a
function of input/output to input/output voltage;
typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 14 January 2008
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